Схема управления затворами транзисторов
Управление затвором MOSFET и IGBT
Рынок силовых полупроводников на основе карбида кремния SiC , которые обеспечивают ряд преимуществ по сравнению с кремниевыми силовыми приборами, быстро развивается. Более высокие технические характеристики в сочетании с меньшей стоимостью ускорили внедрение силовых полупроводников на базе SiC в таких приложениях, как управление электроприводами в промышленности, системы индукционного нагрева, промышленные источники питания и возобновляемые источники энергии. Оптроны применяются для надежной гальванической развязки схем управления от высоких напряжений и силовых полупроводников.
В линейке имеются микросхемы с раздельными выходами OUTH и OUTL для индивидуального управления продолжительностью нарастания и спада выходного сигнала. NSi66x1A включает в себя такие важные функции защиты, как блокировка при пониженном напряжении UVLO , подавление эффекта Миллера, вывод из насыщения «DESAT» — desaturation , защита от короткого замыкания и мягкое отключение. В случае короткого замыкания или срабатывания схемы UVLO на выводе «FLT» Fault появляется низкий уровень, сигнализирующий о появлении критической ошибки в работе системы. В этом случае внешняя схема контроля напряжения детектирует повышенное значение на шинах питания и активирует систему ASC, которая будет принудительно «тормозить» электродвигатель открытием одного из транзисторов верхнего или нижнего плеча, тем самым уменьшая паразитную генерацию энергии до безопасного уровня.
| 200 | VOW состоит из инфракрасного светодиода, оптически связанного с интегральной схемой силового выходного каскада. | |
| 159 | В большинстве схем самодельных генераторов высокого напряжения для электростатической коптильни используется полевой транзистор, но к сожалению управление его затвором часто организовано неправильно. Речь пойдёт о схемах высоковольтных источников напряжения для получения электростатики, их мощность как правило не превышает 7 ватт — большего и не нужно. | |
| 348 | Insulated-gate bipolar transistor , IGBT — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор , сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный образующий силовой канал и полевой образующий канал управления [1]. | |
| 493 | Мы не выдаем Китай за Италию. | |
| 141 | Область, из которой носители заряда уходят в канал, называется истоком , область, в которую они уходят из канала, называется стоком , электрод, на который подается управляющее напряжение, называется затвором. | |
| 408 | Любому разработчику электроники знаком термин «драйвер». | |
| 15 | В статье рассмотрены основные характеристики миниатюрных импульсных трансформаторов серии BA, изготавливаемых компанией Epcos-TDK — мирового лидера в области производства электронных компонентов и магнитомягких материалов. Показаны особенности применения трансформаторов Gate Drive Transformers в схемах управления затвором MOSFET и перспективы применения силовых модулей на их основе в мощных преобразователях и другом силовом оборудовании. |
Hardware engineer. Поиск Написать публикацию. Время на прочтение 4 мин. Всем доброго времени суток! Эта небольшая статья возможно станет шпаргалкой для начинающих разработчиков, которые хотят проектировать надежные и эффективные схемы управления силовыми полупроводниковыми ключами, обновит и освежит старые знания опытных специалистов или может хотя бы где-то поцарапает закрома памяти читателей. Любому из этих случаев я буду очень рад.
